KRi 霍尔离子源典型应用溅镀镀膜预清洁工艺 Pre-clean-仪表网

KRi 霍尔离子源典型应用溅镀镀膜预清洁工艺 Pre-clean

检测样品：镀膜检测项目：镀膜

方案概述：KRi霍尔离子源典型应用溅镀镀膜预清洁工艺Pre-clean上海伯东美国KRi霍尔离子源EH400F成功应用于6寸硅片电源管理集成电路芯片PMIC溅镀镀膜前预清洁工艺Pre-clean.

点击186次

下载0次

更新时间2023年06月09日

上传企业伯东企业（上海）有限公司

下载方案

方案详细说明相关产品清单

因产品配置不同，价格货期需要电议，图片仅供参考，一切以实际成交合同为准。

KRi 霍尔离子源典型应用溅镀镀膜预清洁工艺 Pre-clean

KRi 霍尔离子源典型应用溅镀镀膜预清洁工艺 Pre-clean
上海伯东美国 KRi 霍尔离子源 EH 400F 成功应用于 6寸硅片电源管理集成电路芯片 PMIC 溅镀镀膜前预清洁工艺 Pre-clean.
KRi霍尔离子源 EH400
电源管理集成电路芯片镀膜时常用的材料, 例如: 铌酸锂 LiNbO3 , 钛酸钡 BaTi03 , 锆钛酸铅 PTZ, 氧化锌 ZnO , 氮化铝 AiN … 膜层与硅片会有脱膜及电性阻抗问题. 美国 KRI 霍尔离子源有高广角的涵盖面积 >45ﾟ, 及高解离率获得高密度的离子浓度, 在电源管理集成电路芯片 PMIC 的压电材料镀膜前有效的将硅片做清洁及平整化处理, 提高膜层的附着力及提高生产良率.

电源管理集成电路芯片 PMIC 溅镀镀膜前预清洁工艺
设备: 5只靶材复合性溅镀机
基材: 6 存硅片
真空系统: 上海伯东美国 HVA 高真空插板阀 + 伯东 Pfeiffer 全磁浮分子泵
KRi 霍尔离子源: EH 400F
预清洁工艺离子源条件: Vd:120V (离子束阳极电压), Id:3.5A (离子束阳极电流), Ar gas: 20sccm (氩气).
KRi 霍尔离子源 EH400
腔体中 KRi 霍尔离子源 EH 400 本体, 工作條件: Vd:120V, Id:3.5A, Ar:20sccm

上海伯东美国 KRi 霍尔源可依客户镀膜机尺寸, 基材尺寸, 工艺条件选择适合型号

型号	eH400	eH1000	eH2000	eH3000
中和器	F or HC	F or HC	F or HC	F or HC
离子束阳极电压	50-300 V	50-300 V	50-300 V	50-250 V
离子束阳极电流	5A	10A	10A	20A
散射角度	>45	>45	>45	>45
气体流量	2-25 sccm	2-50 sccm	2-75 sccm	5-100 sccm
本体高度	3.0“	4.0“	4.0“	6.0“
直径	3.7“	5.7“	5.7“	9.7“
水冷	可选	可选	是	可选

F = Filament; HC = Hollow Cathode;

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项砖利. KRi 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.